开路电压 I c/ uA 0.1 0200040006000800010000 图1硅光电池的光照特性曲线 硅光电池开路电压与照度特性见图1 2.硅光电池的伏安特性 当硅光电池接上负载R时,硅光电池可以工作在反向偏置电压状态或无偏压状态.它 的伏安特性见图2.图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: (1)反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关(在很大的动态范围内) (2)无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大 3.0-2.5-20-1.5-1040.501002 y U/mv R1大 R小 E 反向偏置电压状态1A无偏置电压状态 图2硅光电池的伏安特性曲线 由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流l,在电压轴上的 截距即为开路电压Voc 3.硅光电池的光谱响应 图3为硅光电池的光谱特性曲线.即相对灵敏度K和入射光波长A的关系曲线.从图 4中可看出,硅光电池的有效范围约在450-1100m之间 硅光电池的灵敏度K为 K(2)= Pl) (4) n()7(a)△图 1 硅光电池的光照特性曲线 硅光电池开路电压与照度特性见图 1． 2．硅光电池的伏安特性 当硅光电池接上负载 R 时，硅光电池可以工作在反向偏置电压状态或无偏压状态．它 的伏安特性见图 2．图中可见，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： （1）反偏工作状态，光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）； （2）无偏工作状态，光电二极管的光电流随负载电阻变化很大． 由图 2 可看到，在一定光照下，负载曲线在电流轴上的截距是短路电流IPh，在电压轴上的 截距即为开路电压VOC． 图 2 硅光电池的伏安特性曲线 3．硅光电池的光谱响应． 图 3 为硅光电池的光谱特性曲线．即相对灵敏度Kr 和入射光波长λ 的关系曲线．从图 4 中可看出，硅光电池的有效范围约在 450—1100 nm之间． 硅光电池的灵敏度 K 为 ( ) ( ) () () λλλη λ λ Δ = T P K （4） - 48 -