■1950年,GK.Teal、 J. B. Little直拉法锗单晶 952年, W.G. Pfanr区熔提纯技术高纯锗 GK.Tea直拉法硅单晶, PHKeck悬浮区熔技 术,提高硅的纯度 1955年, SIMENS在硅芯发热体上用氢还原三 氯化硅法制得高纯硅。 1957年,工业化生产。 958年, WCDASH无位错硅单晶,为工业化 大生产硅集成电路作好了准备。 六十年代初,外延生长锗、硅薄膜工艺,与硅 的其它显微加工技术相结合,形成了硅平面器 件工艺。◼ 1950年，G.K.Teal、J.B.Little直拉法锗单晶 ◼ 1952年，W.G.Pfann区熔提纯技术高纯锗、 G.K.Teal直拉法硅单晶，P.H.Keck悬浮区熔技 术，提高硅的纯度 ◼ 1955年，SIMENS在硅芯发热体上用氢还原三 氯化硅法制得高纯硅。 ◼ 1957年，工业化生产。 ◼ 1958年，W.C.DASH无位错硅单晶，为工业化 大生产硅集成电路作好了准备。 ◼ 六十年代初，外延生长锗、硅薄膜工艺，与硅 的其它显微加工技术相结合，形成了硅平面器 件工艺