即E=19Vn262×10/92m=1.98×0m42(m J52.3m4/cm2 E 评析:本题的锗中既掺有施主杂质又掺有受主,而且二者浓度相差不大,所以在计算电 导率时,须既考虑电子的贡献,也要考虑空穴的贡献 习题: 1.对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体,为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同?试 加以定性分析。 2.何谓迁移率?影响迁移率的主要因素有哪些? 3.试定性分析Si的电阻率与温度的变化关系 4.证明当n≠脚,且电子浓度= 空穴浓度 An 时半导体的 电导率有最小值,并推导0nn的表达式。 5.0.12kg的Si单晶掺有3.0×10°kg的Sb,设杂质全部电离,试求出此材料的电导率。 (Si单晶的密度为2.33g/cm,Sb的原子量为121.8) 2 3 2 52.3 / 1.996 10 / 2.62 10 / J mA cm E mA cm  cm − = = =     即: E=1.996V/cm 评析：本题的锗中既掺有施主杂质又掺有受主，而且二者浓度相差不大，所以在计算电 导率时，须既考虑电子的贡献，也要考虑空穴的贡献。 习题： 1.对于重掺杂半导体和一般掺杂半导体，为何前者的迁移率随温度的变化趋势不同？试 加以定性分析。 2.何谓迁移率？影响迁移率的主要因素有哪些？ 3.试定性分析 Si 的电阻率与温度的变化关系。 4.证明当 µn≠µp，且电子浓度 / o i n p n n =   ，空穴浓度 / o i p n p n =   时半导体的 电导率有最小值，并推导σmin 的表达式。 5.0.12kg 的 Si 单晶掺有 3.0×10-9 kg 的 Sb，设杂质全部电离，试求出此材料的电导率。 （Si 单晶的密度为 2.33g/cm3，Sb 的原子量为 121.8）