由三由效 第10章电子电路中常用的元件 1032二极管的伏安特性 击穿 电压 /mA 0<U<Uth ip=0 正向特性 U(BR) Ut2=0.5V(硅管) 反/反向特性 0.1V(锗管) 向击穿 死反U>勿急剧上升 电压 U(BR<U<0ib<0.1A(硅)几十A(锗) U<U(B)反向电流急剧增大(反向击穿) 回國10.3.2 二极管的伏安特性 O uD /V iD /mA 正向特性 Uth 死区 电压 iD = 0 Uth = 0.5 V 0.1 V (硅管) (锗管) U  Uth iD 急剧上升 0 U  Uth 反向特性 U (BR) 反 向 击 穿 U（BR)  U  0 iD < 0.1 A(硅) 几十A (锗) U < U（BR） 反向电流急剧增大 (反向击穿) 击穿 电压