⑧4.电可擦除可编程ROM(E2PROM)。 3也是采用浮栅技术生产的可编程ROM,但是构成其存储单 元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的 多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改 写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功 能，可以随时改写（可重复擦写万次以上)。 a5.快闪存储器(Flash Memory)。 ⑧也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分 开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片 可以擦除/写入100万次以上。4.电可擦除可编程ROM（E2PROM）。 也是采用浮栅技术生产的可编程ROM，但是构成其存储单 元的是隧道MOS管，是用电擦除，并且擦除的速度要快的 多（一般为毫秒数量级）。E2PROM的电擦除过程就是改 写过程，它具有ROM的非易失性，又具备类似RAM的功 能，可以随时改写（可重复擦写1万次以上）。 5.快闪存储器（Flash Memory）。 也是采用浮栅型MOS管，存储器中数据的擦除和写入是分 开进行的，数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片 可以擦除/写入100万次以上