4.1岛次薄膜的电导 2.肖特基发射理论（理查森一肖特基理论） 以热电子发射理论的为基础； 考虑到：1、电子脱离小岛需克服的势垒是渐变的，非突变的； 2、热电子发射理论所得到的电流密度太小； 在电子逸出金属小岛表面所需要克服的位垒中，引入境像力和外加 电场的影响。 位垒降低 电流密度计算值增加4.1 岛状薄膜的电导 在电子逸出金属小岛表面所需要克服的位垒中，引入境像力和外加 电场的影响。 2.肖特基发射理论(理查森—肖特基理论） 以热电子发射理论的为基础； 位垒降低 电流密度计算值增加 考虑到：1、电子脱离小岛需克服的势垒是渐变的，非突变的； 2、热电子发射理论所得到的电流密度太小；