《模拟电子技术》教案 (I)截止区：<=O时，此时的集电极电流近似为零，管子的集电极电压等于电源 电压，两个结均反偏 (2)饱和区：此时两个结均处于正向偏置，UCE=0.3V (3)放大区：此时1c=BB,1c基本不随Ucs变化而变化，此时发射结正偏，集电 结反偏。 四：三级管主要参数 1.放大系数 它主要是表征管子放大能力。它有共基极的放大系数和共发射极的放大系 数。二者的关系是： C= B= 1+6 1-6 2.极间的反向电流（它们是有少数载流子形成的） (1):基电极基极的反向饱和电流。 (2)IcEo:穿透电流，它与IcBo关系为：IcE0=(1+B)IcB0 3.极间反向击穿电压 指三极管某一个极开路时，另两个极间的最大允许的反向电压。超过这个电 压，管子会击穿。 (1)集电极开路时，发射极与基极间的反向击穿电压'BREO (2)基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压'RCeo· (3)发射极开路，集电极与基极间的反向击穿电压为'BRCo。 4、集电极最大允许功率损耗Pcw=icVCE 表示集电结上允许损耗功率的最大值，超过此值就会使管子性能变坏甚至烧 毁。 五：参数与温度的关系 由于半导体的载流子受温度影响，因此三极管的参数受温度影响，温度上升， 输入特性曲线向左移，基极的电流不变，基极与发射极之间的电压降低。输出特 性曲线上移。 温度升高，放大系数也增加。《模拟电子技术》教案 9 (1)截止区：IB<=0 时，此时的集电极电流近似为零，管子的集电极电压等于电源 电压，两个结均反偏 (2)饱和区：此时两个结均处于正向偏置，UCE=0.3V (3)放大区：此时 IC=ßIB，IC 基本不随 UCE 变化而变化，此时发射结正偏，集电 结反偏。 四：三级管主要参数 1.放大系数 它主要是表征管子放大能力。它有共基极的放大系数和共发射极的放大系 数。二者的关系是： 2.极间的反向电流（它们是有少数载流子形成的） （1）：基电极--基极的反向饱和电流。 （2）ICEO：穿透电流，它与 ICBO 关系为：ICEO=（1+ß）ICBO 3．极间反向击穿电压 指三极管某一个极开路时，另两个极间的最大允许的反向电压。超过这个电 压，管子会击穿。 （1）集电极开路时，发射极与基极间的反向击穿电压 V(BR)EBO。 （2）基极开路时，集电极与发射极间的反向击穿电压 V(BR)CEO 。 （3）发射极开路，集电极与基极间的反向击穿电压为 V(BR)CBO 。 4、集电极最大允许功率损耗 CM C CE P = i v 表示集电结上允许损耗功率的最大值，超过此值就会使管子性能变坏甚至烧 毁。 五：参数与温度的关系 由于半导体的载流子受温度影响，因此三极管的参数受温度影响，温度上升， 输入特性曲线向左移，基极的电流不变，基极与发射极之间的电压降低。输出特 性曲线上移。 温度升高，放大系数也增加