点击下载:浙江大学:《半导体物理基础》课程教学资源(PPT讲稿)Fundamentals of Semiconductor Physics(Silicon Technology)
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Dopant Concentration 30 ds M。-M 可得 C,=kCo(1 M M 0.05 凝固分 图10.4从融体生长单晶的曲线,显示团体中杂浓度为凝圆分数的函数Dopant Concentration
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