写“1”:在O线上输入高电位,在ⅣO线上输入低电位, 开启T5,T6,T7,T8四个晶体管把高、低电位分别加在A,B点, 使T1管截止,使T2管导通,将“1”写入存储元 写“0”:在O线上输入低电位,在ⅣO线上输入高电 位,打开T5,T6,T7,T8四个开门管把低、高电位分别加在A, B点,使T1管导通T2管截止将“0”信息写入了存储元 X地址译码线 Vcc : 负载管 T5 3 T6 工作管 导通状态 截止状态 T8 接Y地址译码线 (I/0) I/0)写操作？ 写“0”：在I/O线上输入低电位，在I/O线上输入高电 位，打开T5,T6,T7,T8四个开门管把低、高电位分别加在A， B点，使T1管导通,T2管截止,将“0”信息写入了存储元, 写“1”：在I/O线上输入高电位，在I/O线上输入低电位， 开启T5,T6,T7,T8四个晶体管把高、低电位分别加在A，B点， 使T1管截止，使T2管导通，将“1”写入存储元