4.1.1N沟道增强型MOSF 2.工作原理 (1)Vcs对沟道的控制作用 N 当s≤0时 耗尽层 无导电沟道，d、s间加 电压时，也无电流产生。 B衬底引线 当0〈s〈N时 产生电场，但未形成导电 沟道（反型层)，d、s间加电 N 压后，没有电流产生。 耗尽层 P B衬底引线4.1.1 N沟道增强型MOSFET （1）VGS对沟道的控制作用 当VGS≤0时 无导电沟道， d、s间加 电压时，也无电流产生。 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P 当0 <VGS <VTN 时 产生电场，但未形成导电 沟道（反型层），d、s间加电 压后，没有电流产生。 s g d B 衬底引线 N ＋ N ＋ VGG 耗尽层 P 2. 工作原理