点击下载:川北医学院:《模拟电子技术》课程电子教案(课件讲稿)第五章 场效应管放大电路
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5.1.1N沟道增强型OSFET 1.结构(N沟道) L:沟道长度 W:沟道宽度 tx:绝缘层厚度 通常W>L 绝缘体 沟道 栅极g 二氧化硅绝缘层 (Si02) 铝电极 (A1) N中 tox N P型衬底 源极s W 漏极d 北医学院生物医学工程5.1.1 N沟道增强型MOSFET 1. 结构(N沟道) L :沟道长度 W :沟道宽度 tox :绝缘层厚度 通常 W > L
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