试卷代号：1107 中央广播电视大学2009一2010学年度第一学期“开放本科”期末考试 传感器与测试技术试题答案及评分标准 (供参考) 2010年1月 一、简答题（每小题6分，共24分） 1.霍尔效应：金属或半导体薄片两端通以控制电流I,在与薄片垂直方向上施加磁感应强 度为B的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向的薄片的另两侧会产生电动势UH,UH的大小 正比于控制电流I和磁感应强度B,这一现象称为霍尔效应。 2.压电效应：某些晶体，当沿着一定方向受到外力作用时，内部会产生极化现象，同时在 某两个表面上产生大小相等符号相反的电荷：当外力去掉后，又恢复到不带电状态：当作用力 方向改变时，电荷的极性也随着改变；晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。这种现 象叫压电效应。 3.传感器无失真检测的条件是什么？ 传感器无失真检测条件是：幅频特性应当是常数（即水平直线）：相频特性应该是线性 关系。 4.什么叫金属应变片的横向效应？ 沿应变片轴向的应变€x必然引起应变片电阻的相对变化，而沿垂直于应变片轴向的横向 应变ε，也会引起其电阻的相对变化，这种现象称为横向效应。 二、选择题（每空3分，共30分） 1.A、C 2.D 3.C 4.C、D(顺序无关) 5.B 6.D 7.C 8.D 三、综合题（共46分） 1.由安培定律可知，在载流导体周围会产生一正比于该电流的磁场，霍尔钳形电流表的 探头是用环形铁芯做集束器，霍尔器件放在空隙中间，如图所示。试介绍霍尔钳形电流表的工 作原理。(10分) 693试卷代号:110'7 中央广播电视大学2009-2010学年度第一学期“开放本科”期末考试 传感器与测试技术 试题答案及评分标准 (供参考) 2010年 1月 一、简答题(每小题 6分，共 24分) 1.霍尔效应:金属或半导体薄片两端通以控制电流 I,在与薄片垂直方向上施加磁感应强 度为 B的磁场，那么在垂直于电流和磁场方向的薄片的另两侧会产生电动势、UH,UH的大小 正比于控制电流 I和磁感应强度B，这一现象称为霍尔效应。 2.压电效应:某些晶体，当沿着一定方向受到外力作用时，内部会产生极化现象，同时在 某两个表面上产生大小相等符号相反的电荷;当外力去掉后，又恢复到不带电状态;当作用力 方向改变时，电荷的极性也随着改变;晶体受力所产生的电荷量与外力的大小成正比。这种现 象叫压电效应。 3.传感器无失真检测的条件是什么? 传感器无失真检测条件是:幅频特性应当是常数(即水平直线);相频特性应该是线性 关系。 4.什么叫金属应变片的横向效应? 沿应变片轴向的应变 。:必然引起应变片电阻的相对变化，而沿垂直于应变片轴向的横向 应变:，也会引起其电阻的相对变化，这种现象称为横向效应。 二、选择题(每空3分，共 30分) 1.A,C 2.D 3.C 4.C,D(顺序无关) 5. B 6. D 7. C 8. D 三、综合题(共 46分) 1.由安培定律可知，在载流导体周围会产生一正比于该电流的磁场，霍尔钳形电流表的 探头是用环形铁芯做集束器，霍尔器件放在空隙中间，如图所示。试介绍霍尔钳形电流表的工 作原理。(10分) 693