原理 LaF的晶格中有空穴,在晶格上的F可氟 以移入晶格邻近的空穴而导电。对于一定的 Ag-AgCl 内参比 子选择膜电极 晶体膜,离子的大小、形状和电荷决定其是选 F、CI 否能够进入晶体膜内,故膜电极一般都具有臟 内参比 较高的离子选择性。 氟化镧 单晶膜 当氟电极插入到F溶液中时,F在晶体 膜表面进行交换。25℃时 膜=K-0.0591gr=K+0.059pF 高选择性,需要在pH5~7之间使用, pH高时:溶液中的OH与氟化镧晶体膜中的F交换; pH较低时:溶液中的F生成HF或HF2。 上页下页返回原理: LaF3的晶格中有空穴，在晶格上的F -可 以移入晶格邻近的空穴而导电。对于一定的 晶体膜，离子的大小、形状和电荷决定其是 否能够进入晶体膜内，故膜电极一般都具有 较高的离子选择性。 当氟电极插入到F -溶液中时，F -在晶体 膜表面进行交换。25℃时： E膜 = K - 0.059 lgaF -= K + 0.059 pF 高选择性，需要在pH5～7之间使用， pH高时：溶液中的OH-与氟化镧晶体膜中的F -交换; pH较低时：溶液中的F -生成HF或HF2 -