9.为什么相位选择器只能沿顺时针方向旋转?如果沿逆时针方向旋转有什么后果? 10.在使用锁定放大器时,对所提取微弱信号的频率与模拟乘法器中参考信号的频率有 何要求?噪声中与参考信号频率相同的成分能否用锁定放大器来消除它的影响? 如果pn单边突变结二极管存在漏电对测试结果会有什么影响? 12.利用C-V曲线计算二极管中浅掺杂一边的杂质浓度分布。列表给出各偏压VR下 的电容C,1C2dCdV.w及杂质浓度N()值(在本实验中已知p-n结面积A= 503×103cm2,c6n=11×854×10-4F/cm),并作出N(v)-w杂质分布曲线。 13.作1/C2~VR关系曲线,由此曲线的直线部分外推至1C2=0,外推直线在Ⅴ轴之 截距即为单边突变结的自建势Vυ,给出VD的数值。 难点 有时记录到C-Ⅴ曲线不太平滑的原因是什么?如何才能获得平滑的CV曲线? 2.本实验的C-Ⅴ法只适用于测量单边突变结二极管浅掺杂一边的杂质浓度分布,其原因是 可进一步探索的问题: 1.在现有的实验测量条件下,能否借助计算机来提高测量结果的正确性?具体方法是什 么? 2.根据目前教科书提供的测量线路图,请设计一个用计算机采集、记录和数据处理具体实 验方案9． 为什么相位选择器只能沿顺时针方向旋转？如果沿逆时针方向旋转有什么后果？ 10． 在使用锁定放大器时，对所提取微弱信号的频率与模拟乘法器中参考信号的频率有 何要求？噪声中与参考信号频率相同的成分能否用锁定放大器来消除它的影响？ 11． 如果 p ＋ -n 单边突变结二极管存在漏电对测试结果会有什么影响？ 12． 利用C −V 曲线计算二极管中浅掺杂一边的杂质浓度分布。列表给出各偏压 VR下 的电容 C，1/C2 , dC/dV, w 及杂质浓度 N(w)值（在本实验中已知 p ＋ －n 结面积 A＝ 5.03×10-3 cm 2 ， 11.8 8.854 10 F / cm 14 0 − εε = × × ），并作出 N(w)−w 杂质分布曲线。 13． 作 1/C2 ～VR 关系曲线，由此曲线的直线部分外推至 1/C2 ＝0，外推直线在 V 轴之 截距即为单边突变结的自建势 VD，给出 VD的数值。 难点： 1． 有时记录到 C-V 曲线不太平滑的原因是什么？如何才能获得平滑的 C-V 曲线？ 2．本实验的 C-V 法只适用于测量单边突变结二极管浅掺杂一边的杂质浓度分布，其原因是 什么？ 可进一步探索的问题： 1． 在现有的实验测量条件下，能否借助计算机来提高测量结果的正确性？具体方法是什 么？ 2． 根据目前教科书提供的测量线路图，请设计一个用计算机采集、记录和数据处理具体实 验方案