UESTC 集成电路发展简史 60年代TL、ECL出现并得到广泛应用。1966 年 MOS LSI发明(集成度高,功耗低) 70年代 MOS LSI得到大发展(出现集成化微 处理器,存储器)VLSI,典型产品64 K DRAM,16 位MPU 80年代VLSI出现,使IC进入了崭新的阶段(其 标志为特征尺寸小于2um,集成度>105个元件/片)典 型产品4 M DRAM(集成度8106,芯片面积91mm2, 特征尺寸0.8m,晶片直径150mm),于89年开始商 业化生产,95年达到生产顶峰。21 60年代 TTL、ECL出现并得到广泛应用。1966 年 MOS LSI发明（集成度高，功耗低） 70年代 MOS LSI得到大发展（出现集成化微 处理器，存储器）VLSI，典型产品64K DRAM ，16 位 MPU 80年代 VLSI出现，使IC进入了崭新的阶段（其 标志为特征尺寸小于2m，集成度105 个元件/片）典 型产品4M DRAM(集成度 8∙106 ，芯片面积91mm2 ， 特征尺寸0.8μm，晶片直径150mm ) ，于89年开始商 业化生产，95年达到生产顶峰。 集成电路发展简史