电子一空穴复合运动 半导体的导电特性 自由电子 +4 空穴 垂b ))(*)^)()●:◎:●:◎ o::●: +4 电流=自由电子定向运动+空穴定向运动 7300K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n=p=14×1010cm3 本征硅的原子浓度:4.96×102/cm3 534电子－空穴复合运动 半导体的导电特性 电流＝自由电子定向运动＋空穴定向运动 T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3