5)晶体二极管的主要参数有最大整流电流lM、最高反向工作电压URM和最大 反向电流lRM。其中最大整流电流和最高反向工作电压两个参数是合理选择和使用二 极管的主要依据。应当注意最高反向工作电压和反向击穿电压的区别,最高反向工 作电压是确保二极管安全工作所允许使用的电压值,约为反向击穿电压的一半。 4.稳压二极管是一种特殊的二极管,利用它在反向击穿状态下的恒压特性,常 用它来构成简单的稳压电路。它的正向特性与普通二极管相似 5.半导体三极管又称晶体三极管。它有发射区、基区和集电区等三个区,各自 引出的三个电极分别称为发射极,基极和集电极,分别用小写字母e、b、c表示 发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间N结称为集电结。晶体 管按半导体材料可分为硅管和锗管,按PN结组合方式不同可分为PNP型和NPN型。 6.晶体管工作在放大状态时,通常在它的发射结加正向电压,集电结加反向电 压,正常工作时发射结正向压降变化不大,硅管约为0.7V,锗管约为0.3V 7.晶体三极管的电流放大作用和电流分配关系是本章的重点内容,读者学习时 应掌握下列基本概念 (1)晶体三极管具有电流放大作用。它是通过较小的基板电流iB的变化去控制 较大的集电极电流ic的变化,这就是晶体三极管的电流放大作用,即基极的控制作 用。因此,晶体三极管是一种电流控制型器件。 (2)晶体三极管实现电流放大的条件 外部条件(偏置条件)是发射结正向偏置,集电结反向偏置。即NPN型管要求 UC>UB>UE:PNP型管要求UE>UB>UC 内部条件(工艺条件)是发射区掺杂浓度高,基区很薄且杂质浓度低,集电结 面积大。 (3)三极管的电流分配关系 8.晶体三极管的输入、输出特性曲线是用来说明管子特性的重要曲线,读者学 习时应掌握下列基本概念: (1)输入特性曲线是指在LCE一定时,iB=f(lE)的关系曲线,它类似于二极管 的正向特性,也存在门坎电压Um及发射结正向压降,晶体管的输入特性是非线性的 (2)输出特性曲线是指一定时,i=f(uc)的关系曲线。我们通常把输出特 性曲线分成截止、饱和、放大三个工作区来分析晶体三极管的工作状态。当发射结 和集电结均处于反向偏置时,晶体三极管处于截止状态:当发射结和集电结均为正 向偏置时,晶体三极管工作于饱和状态;当发射结正向偏置、集电结反向偏置时,5）晶体二极管的主要参数有最大整流电流 IFM、最高反向工作电压 URM 和最大 反向电流 IRM。其中最大整流电流和最高反向工作电压两个参数是合理选择和使用二 极管的主要依据。应当注意最高反向工作 电压和反向击穿电压的区别，最高反向工 作电压是确保二极管安全工作所允许使用的电压值，约为反向击穿电压的一半。 4．稳压二极管是一种特殊的二极管，利用它在反向击穿状态下的恒压特性，常 用它来构成简单的稳压电路。它的正向特性与普通二极管相似。 5．半导体三极管又称晶体三极管。它有发射区、基区和集电区等三个区，各自 引出的三个电极分别称为发射极，基极和集电极，分别用小写字母 e、b、c 表示。 发射区和基区之间的 PN 结称为发射结，集电区和基区之间 PN 结称为集电结。晶体 管按半导体材料可分为硅管和锗管，按PN结组合方式不同可分为PNP型和NPN型。 6．晶体管工作在放大状态时，通常在它的发射结加正向电压，集电结加反向电 压，正常工作时发射结正向压降变化不大，硅管约为 0.7V，锗管约为 0.3V。 7．晶体三极管的电流放大作用和电流分配关系是本章的重点内容，读者学习时 应掌握下列基本概念： （1）晶体三极管具有电流放大作用。它是通过较小的基板电流 iB 的变化去控制 较大的集电极电流 iC的变化，这就是晶体三极管的电流放大作用，即基极的控制作 用。因此，晶体三极管是一种电流控制型器件。 （2）晶体三极管实现电流放大的条件 外部条件（偏置条件）是发射结正向偏置，集电结反向偏置。即 NPN 型管要求 UC>UB>UE；PNP 型管要求 UE>UB>UC。 内部条件（工艺条件）是发射区掺杂浓度高，基区很薄且杂质浓度低，集电结 面积大。 （3）三极管的电流分配关系 iE = iB + iC iC =βiB 8．晶体三极管的输入、输出特性曲线是用来说明管子特性的重要曲线，读者学 习时应掌握下列基本概念： （1）输入特性曲线是指在 uCE 一定时，iB = f (uBE)的关系曲线，它类似于二极管 的正向特性，也存在门坎电压 Uth 及发射结正向压降，晶体管的输入特性是非线性的。 （2）输出特性曲线是指 iB 一定时，iC= f (uCE)的关系曲线。我们通常把输出特 性曲线分成截止、饱和、放大三个工作区来分析晶体三极管的工作状态。当发射结 和集电结均处于反向偏置时，晶体三极管处于截止状态；当发射结和集电结均为正 向偏置时，晶体三极管工作于饱和状态；当发射结正向偏置、集电结反向偏置时