第二章2.8-284组合放大单元 分析举例1 电路结构(CE-CB) 特点:共模自举 R VcBI-VCB 消除了基区宽度调制效 应的影响; vCB=vcB≈-vC CBO1,2 减小了反向漏电流的影 响 3)保护T1,T2,(vmo 图2.8.8(a)共射共基差动放大电路 第二章2.8-2.84组合放大单元 分析举例2: T 电路结构(CCCB) 特点 差模增益髙; 输入、输出电阻大; 最大差模、共模输入T 电压大 r2 R, 图2.88(b)共集共基差动放大电路8 15 清华大学电子工程系李冬梅 „ 电路结构（CE－CB） „ 特点: 共模自举 T4 T5 T1 T2 IEE -VEE vo + _ vi1 vi2 VCC 图 2.8.8 (a) 共射-共基差动放大电路 T3 T6 I’O RC1 RC2 第二章-2.8－2.8.4 组合放大单元 分析举例1: 1） vCB1 = vCB2 ≈ 0 消除了基区宽度调制效 应的影响 ； vCB3 = vCB4 ≈ - vIC 2）ICBO1,2 ≈ 0 减小了反向漏电流的影 响； 3) 保护T1,T2 ，（V(BR)CEO 小） 16 清华大学电子工程系李冬梅 „ 电路结构 (CC-CB) „ 特点: 差模增益高; 输入、输出电阻大； 最大差模、共模输入 电压大 T8 T9 T1 T2 vi1 vi2 VCC 图 2.8.8 (b) 共集-共基差动放大电路 v0 T3 T5 T7 -VEE T4 R3 1kΩ R2 50kΩ R1 1kΩ T6 第二章-2.8－2.8.4 组合放大单元 分析举例2: