性模量反常下降，B2母相的电子衍射谱上出现超点阵斑点等。早期一直认为这些是马氏体相变 的先兆，直到Hugs1等的发现，才确定R相变是一个独立的相变。进一步研究表明rJ,R 相为六角晶系，空间群为p31m,品格常数a=0.738nm,c=0.532nm,与B2母相的取向关系 为(111)2∥(0001)；<211>B2M<2工工0>对R相变的深入研究不仅丰富位移型相变的 理论，而且是控制材料记忆性能的有效因素。 图6(a)是成分为Ti-51at%Ni试样于500℃时效6h的C1工0〕2带轴的电子衍射谱，利用2/3 (111)a2超点阵斑点所得暗场像示于图6(b)。具有规则外形的白亮小区即为R相区，可见R相 的形核与析出相是密切相关。析出相的外形为盘状，在短时间时效试样中，Ti!:Ni1析出相 是共格或半共格，它在母相中引起了较强的应力场。根据两相的错配度，对于析出相在母 相中引起的应力场的计算结果表明，在析出盘的上下面为张应力区，在其周围为压应力区。 析出盘的惯态面为111}a2,由于R相是B2母相晶格沿<111>方向畸变而成，在母相中存在 的张应力均有利于R相的形成，故张应力最大的析出片表面附近正是R相形核的位置。析出 相的方位不同将导致R相的方位差异，因而析出相的变态数决定了R相的变体。图6b中处于 衍射状态的P相均是由同一变体的析出相应力场所激发。 图6500℃时效6h的Ti-51at%-Ni试样的电子衍射谱(a)及2/3(111)B2超点阵脏点所得的暗场像(b) Fig.6 Electron diffraction pattern of Ti-51at%-Ni alloy which was aged at 500c for 6h (a);Dark field image by 2/3 (111)Ba 具有规则外形的R相内部存在明显的界面，此类界面处在两组平面上，并与规则外形的 界面平行。这种内界面在R相形核初期早已存在。根据迹线分析确定，R相的长大是沿 <110>2方向向外扩展，直到充满整个空间。由于R相的产生又会在母相中引起很强的应 力场，应力最大方向在<111>2。计算表明，这是压应力，因此R相的规则外形正是界面能 与畸变能二者综合作用的结果。 . 参考文献 1 Li D Y,Wu X F.and T Ko.Phil.May,1991,63(3):585 2 Li D Y,Wu X F.and T Ko.Phil.May,1991,63(3):603 3 Li D Y,Wu X F and T Ko.Phys.Stat.Sol,1989,154(85):85 4 Chen Q Z,Wu X F and T Ko.Acta Metal.Sinica,1991,27(3);A187 5 Hung C L,Kaplow R.Metall.Trans.,Jan,1980,11:77 6 Goo E,Sinclair R,Acta,Metall,1985,33:1717 211性模量反常下 降 , B Z母相 的电子衍射 谱上出现 超点阵斑 点等 。 早期一直认 为这 些是马氏体相变 的 先 兆 , 直 到 H u gn 〔 “ ’ 等的发 现 , 才 确定 R相 变是一个独 立 的相 变 。 进一步研究表 明 〔 “ ’ , R 相 为六角晶系 , 空 间群 为 p 丁 1 。 , 晶格常数 a = o . 7 3 8 n m , 。 = 0 . 5劝 n m , 与B Z 母相 的取 向关 系 为 ( 1 1 1 ) 。 : / ( o 。。1 ) * ; < 了 n > ; 2 声 < 2了了 o > * 对 R 相 变的 深 人研究 不仅 丰富位移型 相 变的 理 论 , 而 且是控制 材料 记忆 性能 的 有效 因素 。 图创 a ) 是成分 为iT 一 5 1 a t % iN 试样于 5 0 ℃ 时 效 h6 的 〔1了 。〕 : 2 带轴的 电 子衍射谱 , 利用 2 3/ ( 1 1 1 ) 。 : 超点 阵斑点所得暗场像示于图6 ( b) 。 具有规则 外形的 白亮小 区 即为 R 相 区 , 可 见 R 相 的 形核 与 析出相 是密切相 关 。 析 出相 的 外形 为盘 状 , 在 短时 间时效 试 样中 , iT ; : N i : 、 析出相 是共格 或半共 格 , 它 在母 相 中弓!起 了较强 的应力场 。 根据 两相 的错配 度 , 对 于析 出 相 在 母 相 中引起的应力 场 的计算结果 表 明 , 在析出盘的上 下面为张应力区 , 在其周 围为 压应力区 。 析 出盘 的惯态 面 为 { 1 1 1 } 。 : , 由于 R 相 是 B Z 母相 晶格沿 < I n > 方向畸 变而 成 , 在母 相 中存在 的 张应 力 均有利于 R 相 的形 成 , 故张应力最大 的 析出片表 面 附近正 是R 相 形核 的位置 。 析 出 相 的方 位不 同将 导致 R 相 的方位差 异 , 因而 析出相 的变态数决定 了 R 相的 变 体 。 图b6 中 处 于 衍 射状态 的 R 相 均是 由同 一变体的 析出相 应 力场所激发 。 {翼蘸馨黝蘸蒸撇颧 黝黝黝篡蘸黝薰粼缨黝笋 蘸缨黝鬃 图 6 50 0℃ 时效 6 h的 T i 一 51: t % 一 N i试样的 电子 衍射 谱 ( a ) 及 2邝 (1 1 1) B 2 超点阵 斑 点所得的培场像 b( ) F 19 . 6 E l e e t r o n d i f f r a e t i o n P a t t e r n o f T i 一 5 1 a t % 一 N i a l l o y w h i e h w a o a g e d a t 6 0 0℃ f o r 6 h ( a ) , D a r k r i e l d i m a g e b y Z / s ( 2 1 1 ) B : 具 有 规则外 形的 R相 内部存 在明显 的界 面 , 此 类 界面 处在两组平 面上 , 并与 规则外 形的 界面 平行 。 这种内界面在 R 相形 核初期早 已存 在 。 根 据 迹线 分 析确 定 , R 相 的 长 大 是 沿 < 1 10 > 。 2 方向向外 扩 展 , 直到充 满 整个空 间 。 由于 R 相 的产生 又会在母 相 中引起 很 强的 应 力场 , 应力最大方向 在 < I n > , : 。 计算表 明 , 这是 压应 力 , 因此 R 相 的 规则外 形 正是 界面 能 与畸 变能 二者综 合作 用 的结果 。 参 考 文 献 L 1 D Y , W u X F . a n d T K o . P h i l . M a y , 1 9 9 1 , 6 3 ( 3 ) : 5 8 5 L 1 D Y , W u X F . a n d T K o . P h i l 。 M a y , 1 9 9 1 , 6 3 ( 3 ) : 6 0 3 L 1 D Y , W u X F a n d T K o . P h y , . S t a L . 5 0 1 , 1 9 8 9 , 1 5 4 ( 8 5 ) : 8 5 C h e n Q Z , W u X F a n d T K o . A e t a M e t a l . S i n i c a , 1 9 9 1 , 2 7 ( 3 ) ; A 1 8 7 H u n g C L , K a p l o w R . M e t a l l . T r a n s . , J a n , 1 9 8 0 , 1 1 : 7 7 G o o E , S i n e l a i r R , A e t a , M e t a l l , 1 9 5 5 , 3 3 : 1 7 1 7 2王葺