由三由资效 第10章电子电路中常用的元件 2晶体管内部载流子的运动规律 (1)发射区向基区注入多子电子 CBO CE 形成发射极电流l lc(鹵至到达薅卤洒度低而忽略) B 多数向BC结方向扩散形成lcE B 少数与空穴复合,形成lBE 基区空』基极电源提供( OEB B穴来源集电区少子酒鸦o E E 即:IBE≈lB+lCBo B一IBE=CBO (3)集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流lc IC=Ice CBO 回2.晶体管内部载流子的运动规律 (1) 发射区向基区注入多子电子， I CE 形成发射极电流IE。 多数向 BC 结方向扩散形成 ICE。 IE 少数与空穴复合，形成 IBE 。 I BE 基区空 穴来源 基极电源提供(IB) 集电区少子漂移(ICBO) I CBO IB 即：IBE  IB + ICBO IB = IBE – ICBO (3) 集电区收集扩散过来的载流子形成集电极电流 IC IC I C = ICE + ICBO ((2) 基区空穴运动因浓度低而忽略 电子到达基区后 )