对于变隙式传感器,因为气隙很小,所以可以认为气隙中的 磁场是均匀的。若忽略磁路磁损,则磁路总磁阻为 ∑ 20 R ×、 式中:1一各段导磁体的长度; μ—各段导磁体的导磁率; S;—铁芯材料的截面积; δ—气隙的厚度 空气的导磁率 S—空气隙的截面积;对于变隙式传感器, 因为气隙很小, 所以可以认为气隙中的 磁场是均匀的。若忽略磁路磁损, 则磁路总磁阻为 0 i 2 m i i L R S S    = +  式中: —— 各段导磁体 的长度; μi——各段导磁体的导磁率; Si——铁芯材料的截面积; δ——气隙的厚度 μ0——空气的导磁率; S——空气隙的截面积; Li