(B) =AVn+gms Np*28 8ml BB. =A'1+ gm3 AV:+ Sml gm ∴.为了减小's可以采用以下方法： 1)减小△V、△'3，增大W1、L1、W3、L3: 2)减小8m3 也就是说在设计中应该适当减小M3、M4的宽长比，增大M1、 8m M2管的沟道宽长比。 3)M3、M4的漏源电流应该相等，也就是说M3管必须和M4管完全一致，从 而保证M3管和M4管平分电流L,。 .W3/L3W4/L41W5/L5 W6/L6W6/L62W7/L7 二、直流偏置、功率限制以及信号漂移的限制： 1、偏置电路中的偏置电流应根据电流镜原理得到： sLs 1= WsILs WaILIps 1,-wL 1=5,=1=1,=专=1 22W/L8 2、直流偏置条件：必须保证M1M8共八个MOS管都处于饱和工作状态。 假设Vcw为共模输入电压，则可以假设它满足：'cM,mm≤'cw≤'cM,mx 同样，对于输出电压也有以下不等式存在：，mm≤'m≤Vom,m 那么分别分析M1M8管得： 1)对M1、M2管有： 当'm='cM,mn时，M1管也必须工作在饱和区（我们知道，对一个MOS管， 它处于饱和工作区的电压条件是： Pak≥Ψ-l 1010 0 3 1 1 3 1 11 3 0 33 1 1 1 3 1 11 1 3 3 3 ( ) 2 3 ( ) 2 T T m m T T m m gm I V V g g gm I W L W L V V g gW L W L β β β β ∆ ∆ =∆ + ∆ + + ∆ ∆ ∆ ∆ =∆ + ∆ + + + + ∴为了减小VOS 可以采用以下方法： 1）减小∆VT1、∆VT 3，增大 W1、L1、W3、L3； 2）减小 1 3 m gm g ，也就是说在设计中应该适当减小 M3、M4 的宽长比，增大 M1、 M2 管的沟道宽长比。 3）M3、M4 的漏源电流应该相等，也就是说 M3 管必须和 M4 管完全一致，从 而保证 M3 管和 M4 管平分电流 5 I 。 3 3 4/ 4 1 5/ 5 6/ 6 6/ 6 2 7/ 7 WL W L W L WL WL WL ∴ = = 二、直流偏置、功率限制以及信号漂移的限制： 1、偏置电路中的偏置电流应根据电流镜原理得到： 5 5 5 8 8 7 7 7 8 8 5 55 1234 8 8 / / / / / 22/ bias bias bias W L I I W L W L I I W L I WL I III I W L = = ==== = 2、直流偏置条件：必须保证 M1~M8 共八个 MOS 管都处于饱和工作状态。 假设VCM 为共模输入电压，则可以假设它满足： VCM ,min ≤ V V CM CM ≤ ,max 同样，对于输出电压也有以下不等式存在： Vout,min ≤ V V out out ≤ ,max 那么分别分析 M1~M8 管得： 1）对 M1、M2 管有： 当V V in CM = ,min 时，M1 管也必须工作在饱和区（我们知道，对一个 MOS 管， 它处于饱和工作区的电压条件是： VVV ds gs T ≥ −