信懂 四、PN结的伏安特性 由式i=ls(e"-1)可知,若PN结正向偏置时,且n>a时, 则 若PN结反向偏置时,且>时,则i≈-s 于是得PN结的伏安特性如图所示 说明 PN结的两种反向击穿 指数规律 ①齐纳击穿(反向击穿电压较低) (耗尽层较窄) U(BRL ②雪崩击穿(反向击穿电压较高 (耗尽层较宽)《低频电子线路》多媒体课件 电子信息研究室 i O u U(BR) 由式 ( 1) = S − uT u i I e 可知，若PN结正向偏置时，且u>>uT时， 则 uT u i I e  S 若PN结反向偏置时，且|u|>>uT时，则 S i  −I 于是得PN结的伏安特性如图所示 说明 PN结的两种反向击穿 ①齐纳击穿（反向击穿电压较低） （耗尽层较窄） ②雪崩击穿（反向击穿电压较高） （耗尽层较宽） 四、PN结的伏安特性 指数规律