3.1.4杂质半导体 3.杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响， 些典型的数据如下： ① T=300K室温下，本征硅的电子和空穴浓度： n=p=1.4×1010/cm3 掺杂后N型半导体中的自由电子浓度： n=5×1016/cm3 ③ 本征硅的原子浓度：4.96×1022/cm3 以上三个浓度基本上依次相差101cm3。3.1.4 杂质半导体 3. 杂质对半导体导电性的影响 掺入杂质对本征半导体的导电性有很大的影响， 一些典型的数据如下: T=300 K室温下,本征硅的电子和空穴浓度: n = p =1.4×1010/cm3 1 本征硅的原子浓度: 4.96×1022/cm3 3 以上三个浓度基本上依次相差106 /cm3 。 2 掺杂后 N 型半导体中的自由电子浓度: n=5×1016/cm3