版权©2014，版权保留，侵犯必究 CMOS单级OTA:设计1 已知：GBW=100MHz和C,=2pF 工艺：Lnmn=0.35μm、K,=60μAN2和K。=30μAW2 求：losW、L gm 2TTC.GBW=1.2 mS Ves-V =0.2 V Vas-VI=9m= 0.12mA 2 10 W Ips -=100 L。=Lm=1μm考虑增益！ L K (Ves-VI) W,=50um、W。=100um 复旦大学 射频集成电路设计研究小组 -058- 唐长文复旦大学 射频集成电路设计研究小组 唐长文 版权©2014，版权保留，侵犯必究 -058- 工艺： 、 和 已知： 和 CMOS单级OTA：设计 1 GBW = 100 MHz CL = 2 pF Lmin = 0.35 μm 2 n ' K = 60 μA/V 2 p ' K = 30 μA/V DS I W L m L GS T m D GS T p n S m DS 2 GS T 2π 1.2 mS 0.12 mA 2 10 100 0.2 V ' ( ) 1 μm g C GBW V V g I g W I V V L V L K L V = = − = − = = = = = = = − Wn = 50 μm Wp = 100 μm 求： 、 、 、 考虑增益！