半导体中,由于空穴和电子的扩散,在PN 结处形成势垒,从而抑制了空穴和电子的 继续扩散。当PN结上加有正向电压时,势 垒降低,电子由N区注入到P区,空穴则由 P区注入到N区,称为少数载流子注入。所 注入到P区里的电子和P区里的空穴复合 注入到N区里的空穴和N区里的电子复合, 这种复合同时伴随着以光子形式放出能量 ,因而有发光现象。8 半导体中，由于空穴和电子的扩散，在PN 结处形成势垒，从而抑制了空穴和电子的 继续扩散。当PN结上加有正向电压时，势 垒降低，电子由N区注入到P区，空穴则由 P区注入到N区，称为少数载流子注入。所 注入到P区里的电子和P区里的空穴复合， 注入到N区里的空穴和N区里的电子复合， 这种复合同时伴随着以光子形式放出能量 ，因而有发光现象