下图是SRAM的写入时序图。其中RW是读/写命令控制线, 当Rw线为低电平时存储器按给定地址把数据线上的数据写入存储 器。请指出下图写入时序中的错误,并画出正确的写入时序图。 地址 数据 Cs R/W 写入存储器的时序信号必须同步。通常,当Rw线加负脉冲时,地 址线和数据线的电平必须是稳定的。当RW线达到低电平时,数据 立即被存储。因此,当RN线处于低电平时,如果数据线改变了数 值,那么存储器将存储新的数据⑤。同样,当RW线处于低电平时 地址线如果发生了变化那么同样数据将存储到新的地址②或③。【例】 下图是SRAM的写入时序图。其中R/W是读/写命令控制线， 当R/W线为低电平时,存储器按给定地址把数据线上的数据写入存储 器。请指出下图写入时序中的错误，并画出正确的写入时序图。 写入存储器的时序信号必须同步。通常，当R/W线加负脉冲时，地 址线和数据线的电平必须是稳定的。当R/W线达到低电平时，数据 立即被存储。因此，当R/W线处于低电平时，如果数据线改变了数 值，那么存储器将存储新的数据⑤。同样，当R/W线处于低电平时 地址线如果发生了变化那么同样数据将存储到新的地址②或③