电源技术网http://www.power-bbs.com电源论坛http://www.dianyuanbbs.com 阻率提出一定的要求。所以测量电阻率是半导体材料常规参数测量项目之一,应该重视测 量的正确性。 电阻率测量的基本方法4 用接触法测景半导体材料的电阻率有如下几种方法:(1)两探针法;(2)四探针 法;(3)单探针展电阻法;(4)范德堡法等。我国生产导深材料的厂家广泛采用 方法,范德堡法放在霍尔系数测量中叙述。NwWW的驶用。下面分别叙述前三种测量 四探针法,因为这种方法比较简便可行,适于成批生 由电学基本知识可知,对于般购金属电阻,可以通过测量流过电阳的电流I以及两 端电压F的大小,然后根据稀的尺寸计算出样品的电阻率(参照图1-9) 式中,A为样品的截面积;l为样品的长度。 接触电 图19用测量金属导体电阻率的方法 a)测量半导体的电阻率;(b)时出现接触电阻 将以上测量电阻率的方法应用到半导体样品上显然是不行的。这是因为用接触法测量 半导体材料的电阻率时会遇到测电压的金属探笔与半导体样品的接触问题:金属与半导休 相接触的地方有很大的接触电阻。这种接触电阻可以达几千欧姆,甚至远远的超过半导体 本身的体电阻。实际上电压表上所测出的电压v表是接触电阻的电压降=4+42和半导 体体电阻上压降矶之和,并且往往前者远远超过了后者,因此电压表上所测量出的电压不 能代表真正的体内电压降。可以用图1-9(6)的等效电路来描述这种情况。 Ha=1+u2+#=+u 而 少 所以 在这种情况下,只有设法测出体电阻上的电压降“,在欧奶定律成立的条件下才能计算出 半导体样品的电阻率。 金属与半导体之间的接触电阻主要来源于阻挡层电阻和细探针与半导体之间造成的扩 屦电阳。因为金属与半导休之间可以构成多数载流子势垒,使界面缺乏载流子,而产生很 大的电阻,这种电阻称为阻挡层电阻。 由上面分析可知,不能直接用万能表或简单地像图1-9那样去测量半导体的电阻率,而 应设法寻找能抵销或避免接触电阻的测量方法。因而人们提出了两探针和四探针等方法来 http://www.dianyuanbbs.com PDF文件使用pdffactoryPro赚本创建www.fineprint,com.cnPDF 文件使用 "pdfFactory Pro" 试用版本创建 www.fineprint.com.cn 电源技术网 http://www.power-bbs.com 电源论坛 http://www.dianyuanbbs.com 电源技术网 http://www.power-bbs.com 电源论坛 http://www.dianyuanbbs.com