2.1.3本征半导体 3.本征半导体导电能力(量子力学) (2)本征半导体载流子浓度(T=300°K)和原子浓度 硅:m1=P1=1.4×1010/cm3;4.96×102cm3 锗:m1=p1=2.4×1013/cm3;4.42×1027cm3 温度升高,载流子浓度上升 受到光照,载流子浓度大于热平衡时的浓度 与原子密度相比,载流子浓度极小,本征半导体导电能 力不强 HOME BACKNEXT3. 本征半导体导电能力（量子力学） 2.1.3 本征半导体 （2）本征半导体载流子浓度(T=300°K )和原子浓度： 硅： ni = pi =1.4×1010/cm3 ； 4.96×1022/cm3 锗： ni = pi =2.4×1013/cm3 ； 4.42×1022/cm3 • 温度升高，载流子浓度上升 • 受到光照，载流子浓度大于热平衡时的浓度 • 与原子密度相比，载流子浓度极小，本征半导体导电能 力不强