(3)带宽:每秒从存储器进出的最大信息量 存取周期反映存储器的带宽 例:TMc=100ns8位数据 带宽为1s/100ns×8b=80Mb/s 提高存储器的带宽的途径 a.缩短存取周期,指制造工艺方面,TTL为100ns;MOS为10ns b.增加储字长 C.增加存储体（3）带宽：每秒从存储器进出的最大信息量 存取周期反映存储器的带宽 例：TMC＝100ns 8位数据 带宽为1s/100ns×8b=80Mb/s 提高存储器的带宽的途径 a．缩短存取周期，指制造工艺方面,TTL 为100ns;MOS为10ns b．增加储字长 c．增加存储体