二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 i=f(u)o R D O 击穿反向饱开启 i=(-1)(常温下U=26mM电压和电流电压 温度的「材料开启电压导通电压反向饱和电流 电压当量硅s0s1 0.5~0.8 1uA以 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十uA二、二极管的伏安特性及电流方程 二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性 材料 开启电压 导通电压 反向饱和电流 硅Si 0.5V 0.5~0.8V 1µA以下 锗Ge 0.1V 0.1~0.3V 几十µA i = f (u) 开启 电压 反向饱 和电流 击穿 i = I S (e T −1) ( UT = 26mV) 电压 U u 常温下 温度的 电压当量