1970年,光纤通信用光源取得了实质性的进展 1970年,美国贝尔实验室、日本电气公司(NEC)和前苏联 先后,研制成功室温下连续振荡的镓铝砷( GaAlas)双异质结半 导体激光器(短波长)。虽然寿命只有几个小时,但它为半导体激 光器的发展奠定了基础。 1973年,半导体激光器寿命达到7000小时 1976年,日本电报电话公司研制成功发射波长为13um 的铟镓砷磷( Ingaasp)激光器 1977年,贝尔实验室研制的半导体激光器寿命达到10万 小时。 1979年美国电报电话(AT&T公司和日本电报电话公司研 制成功发射波长为1.55μm的连续振荡半导体激光器 由于光纤和半导体激光器的技术进步,使 1970年成为光纤通信发展的一个重要里程碑1970 年，光纤通信用光源取得了实质性的进展 • 1970年，美国贝尔实验室、日本电气公司(NEC)和前苏联 先后，研制成功室温下连续振荡的镓铝砷(GaAlAs)双异质结半 导体激光器(短波长)。虽然寿命只有几个小时，但它为半导体激 光器的发展奠定了基础。 • 1973 年，半导体激光器寿命达到7000小时。 • 1976年，日本电报电话公司研制成功发射波长为1.3 μm 的铟镓砷磷(InGaAsP)激光器。 • 1977 年，贝尔实验室研制的半导体激光器寿命达到10万 小时。 • 1979年美国电报电话(AT&T)公司和日本电报电话公司研 制成功发射波长为1.55 μm的连续振荡半导体激光器。 由于光纤和半导体激光器的技术进步，使 1970 年成为光纤通信发展的一个重要里程碑