2、求0 ☆以介质阻力为主要的等速过滤 dq/d0=K/2q= const.(可以采用不同体系表示) 稀 31.09/12.8 =0.131 K/ 4.724/(2×0.127) 求0利用q2+2q!q=KO计算 ①求K: Kv0.64/3775 K=2kAp =0.1764 rou K 0.64/666 K=0.833m2/h 求q le 2qe24 q。k q=0.0224m3/ ③求 向≈92+24=666:+2×6660024×128 0833×1282 =0.353h 求Q 37.75 0.353+0.131+0.5 3836m/h 比较:g/Q=2.54 第四节非均相体系分离的强化 从过程特点出发,强化过程 改变介质一膜分离 2、改变dⅤdQ的变化,错流过滤( Cross-flow Filtration) 3、改变间隙过程Dua- unctional Filter) 4、外场影响HGMS 高梯度磁性分离( High Gradient Magnetic Separation) 介电泳( Dielectrophoresis 泡沫分离(表面活性剂作用)50 2、求θ稀 ☆以介质阻力为主要的等速过滤 / / 2 . dq d K q const  = = e （可以采用不同体系表示） / 31.09/12.8 0.131 / 2 4.724/(2 0.127) e V A h K q  = = =   稀 稀 3、求θ稠 利用 2 ' q q q K + = 2 e   稠 计算 ①求 K’： 0 2 2 p K k p r  =  = ' 0.64/ 37.75 0.1764 0.64/ 6.66 K K    = = =  ' 2 K m h = 0.833 / ②求 e q  ' 0 2 2 e e dq K K d q q   = = =  ' 0.1764 e e q K q K     = = =  3 2 0.0224 / q m m e  = ③求θ稠 2 2 ' 2 2 6.66 2 6.66 0.0224 12.8 0.353 0.833 12.8 q q qe h K  +  +    = = =  稠 4、求 Q′ 37.75 3 38.36 / 0.353 0.131 0.5 Q m h  = = + + 二、比较： ' Q Q/ 2.54 = 第四节 非均相体系分离的强化 从过程特点出发，强化过程 1、改变介质－膜分离 2、改变 dV/dQ 的变化，错流过滤(Cross-flow Filtration) 3、改变间隙过程(Dual-Functional Filter) 4、外场影响 HGMS 高梯度磁性分离(High Gradient Magnetic Separation) 介电泳(Dielectrophoresis) 泡沫分离（表面活性剂作用）