四、本征半导体中载流子的浓度 本征激发、复合、动态平衡 n p,=K,T 3/2。Eco/(2kI) n、p;自由电子与空穴浓度(cm) T:热力学温度 k:玻尔兹曼常数(863×10ev/K); Eco:热力学零度时破坏共价键所需的能量 K1:与半导体材料载流子有效质量、有效能 级密度有关的常量。 在常温下,即T=300K时,硅材料的本 征载流子浓度n=P1=1.43×10cm 锗材料的本征载流子浓度n=P2=238×103cm四、本征半导体中载流子的浓度 本征激发、复合、动态平衡 ni、pi :自由电子与空穴浓度（ ）； T：热力学温度； k：玻尔兹曼常数（ ）； EGO:热力学零度时破坏共价键所需的能量； K1：与半导体材料载流子有效质量、有效能 级密度有关的常量。 在常温下，即T=300K时，硅材料的本 征载流子浓度 锗材料的本征载流子浓度