6-12ⅢV族化合物半导体的能带结构 1GaAs的能带结构 锗和硅的能带结构 Eg=0. 66ev 1.5eV 0. Se\ 0.86eV 0.044ev .28eV k=(1/2,1/2,12)k=(000 k=(100) k=(1/2,12,1/2)k=(000 k=(100) <111轴 <100>轴 <111轴 <100>轴 Ge Si 112eV Ge 0.67eV6-1-2 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 锗和硅的能带结构 Si 1.12 eV Ge 0.67 eV 1.GaAs的能带结构