§41绝缘栅型场效应管( Insulated Gate Field effect transister) 绝缘栅型场效应管 IGFET有称金属氧化物场效应管 MOSFET( Metal Oxide Semiconductor fet是一种利用半导体 表面的电场效应,由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极 电流的器件,它的栅极与半导体之间是绝缘的,其电阻大于 1099 增强型:Ves=0时,漏源之间没有导电沟道, 在VD作用下无ip 耗尽型:Vs=0时,漏源之间有导电沟道, 在VD作用下ip§4.1 绝缘栅型场效应管( Insulated Gate Field Effect Transister) 绝缘栅型场效应管IGFET有称金属氧化物场效应管 MOSFET( Metal Oxide Semiconductor FET)是一种利用半导体 表面的电场效应，由感应电荷的多少改变导电沟道来控制漏极 电流的器件，它的栅极与半导体之间是绝缘的，其电阻大于 109。 增强型：VGS=0时，漏源之间没有导电沟道， 在VDS作用下无iD。 耗尽型：VGS=0时，漏源之间有导电沟道， 在VDS作用下iD