DRAM芯片的容量大存储单元多,地址线的位数多。 为了减少芯片的引脚,就把每个存储单元的地址分为 行地址和列地址两部分表示。在对每个存储单元进行 读写操作时,地址要分两次输入,首先是行地址,然 后是列地址,这显然降低了对存储芯片的访问速度。 另外DRAM芯片的存储单元是一个电容性电路,系统要 定时对存储数据进行额外的刷新,因此,DRAM芯片的 存取速度低,一般为70nS(毫微秒)或60nS,比CPU低 许多。 DRAM芯片的访问方式决定着它的存取速度,按照 访问方式DRAM可以分为如下几种: 请单击鼠标在键换页DRAM芯片的容量大存储单元多，地址线的位数多。 为了减少芯片的引脚，就把每个存储单元的地址分为 行地址和列地址两部分表示。在对每个存储单元进行 读写操作时，地址要分两次输入，首先是行地址，然 后是列地址，这显然降低了对存储芯片的访问速度。 另外DRAM芯片的存储单元是一个电容性电路，系统要 定时对存储数据进行额外的刷新，因此，DRAM芯片的 存取速度低，一般为70nS（毫微秒）或60nS，比CPU低 许多。 DRAM芯片的访问方式决定着它的存取速度，按照 访问方式DRAM可以分为如下几种：