电士件越女学 ityf日ectreale8 clec and Tecology af C国 /956 第三章PCSS信号源 =yn3） (3.2.5) 势垒贯穿的几率应正比于波函数模的平方，于是吸收系数应α为 4√2m(E。-ho)3 a=a,exp 3.2.6 3h5 5x10 其中，%，被认为与吸收限相等 4x10 310 Breakdown filed 3.2.3高偏置电场下光吸收系数实验验证 2x10 ()郎伯定律与光生载流子浓度 10' 10 10 Electric field(kV/cm) GaAs吸收系数随偏量电场的变化        1/ 4 3 / 2 3 2  y exp y (3.2.5) 势垒贯穿的几率应正比于波函数模的平方，于是吸收系数应为              q m n E g   3 4 2 ( ) exp * 3 / 2 0 (3.2.6) 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 10 4 10 5 1x10 3 2x10 3 3x10 3 4x10 3 5x10 3 absorption factor(cm -1) Electric field(kV/cm) GaAs吸收系数随偏置电场的变化 Breakdown filed 其中，0被认为与吸收限相等 (1) 郎伯定律与光生载流子浓度 3.2.3 高偏置电场下光吸收系数实验验证