(1)初始化时序，单片机将数据线DQ电平拉低480960μs后 释放，等待1560s,单总线器件即可输出一持续60~240μs 的低电平，单片机收到此应答后即可进行操作。 (2)写时序，当单片机将数据线DQ电平从高拉到低时，产生 写时序，有写“0”和写“1”两种时序。写时序开始后， DS18B20在1560μs期间从数据线上采样。如果采样到低电 平，则向DS18B20写的是“0”；如果采样到高电平，则向 DS18B20写的是“1”。这两个独立的时序间至少需要拉高总线 电平1s的时间。 1515 （1）初始化时序，单片机将数据线DQ电平拉低480～960µs后 释放，等待15～60µs，单总线器件即可输出一持续60～240µs 的低电平，单片机收到此应答后即可进行操作。 （2）写时序，当单片机将数据线DQ电平从高拉到低时，产生 写时序，有写“0”和写“1”两种时序。写时序开始后， DS18B20在15～60µs期间从数据线上采样。如果采样到低电 平，则向DS18B20写的是“0”；如果采样到高电平，则向 DS18B20写的是“1”。这两个独立的时序间至少需要拉高总线 电平1µs的时间。 15