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1-2-1PN结的形成 P型半导体和N型半导体有机地结 合在一起时,因为P区一侧空穴多,N区 侧电子多,所以在它们的界面处存在 空穴和电子的浓度差。于是P区中的空穴 会向N区扩散,并在N区被电子复合。而 N区中的电子也会向P区扩散,并在P区被 空穴复合。这样在P区和N区分别留下了 不能移动的受主负离子和施主正离子 上述过程如图1—7(a)所示。结果在界面 的两侧形成了由等量正、负离子组成的 空间电荷区,如图1-7(b)所示1―2―1 PN结的形成 P型半导体和N型半导体有机地结 合在一起时,因为P区一侧空穴多,N区 一侧电子多,所以在它们的界面处存在 空穴和电子的浓度差。于是P区中的空穴 会向N区扩散,并在N区被电子复合。而 N区中的电子也会向P区扩散,并在P区被 空穴复合。这样在P区和N区分别留下了 不能移动的受主负离子和施主正离子。 上述过程如图1―7(a)所示。结果在界面 的两侧形成了由等量正、负离子组成的 空间电荷区,如图1―7(b)所示
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