(D)禁带宽度较窄. 28.附图是导体，半导体，绝缘体在热力学温度T=0K时的能 带结构图.其中属于绝缘体的能带结构是() (A)(1). 精空】 鞋（未D 至■ 家用中中中。由市 (B)(2). 絷带 得未合 导霸(】 禁带 (C)(1),(3). 禁带 禁带 (D)(3). 清 (1) (2) (3) (4) (E)(4). 29.硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为2.42V,要使这种晶体产生本征光电导，则入射到晶体上的光的波 长不能大于（普郎克常量h=663×10“J5,基本电荷e-1.60×10C)() (A)650nm(1nm=10-9m) (B)628nm (C)550nm (D)514nm 30.下述说法中，正确的是() (A)本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体(n型或p型)只有一种载流 子（电子或空穴）参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。 (B)n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电，p型半导体是正离子导 电。 (C)型半导体中杂质中杂质原子所形成的局部能级靠近空带（导带）的底部，使局部能级中多余 的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能。 (D)p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。 31.世界上第一台激光器是() (A)氦椖始寸馄鳌？(B)二氧化碳激光器。 (C)钕玻璃激光器。(D)红宝石激光器。 (E)砷化镓结型激光器。 32.按照原子的量子理论，原子可以通过自发辐射和受激辐射的方式发光，它们所产生的光的特点 是：() (A)两个原子自发辐射的同频率的光是相干的，原子受激辐射的光与入射光是不相干的。 (B)两个原子自发辐射的同频率的光是不相干的，原子受激辐射的光与入射光是相干的。 (C)两个原子自发辐射的同频率的光是不相干的，原子受激辐射的光与入射光是不相干的。 (D)两个原子自发辐射的同频率的光是相干的，原子受激辐射的光与入射光是相干的。(D) 禁带宽度较窄. 28.附图是导体,半导体,绝缘体在热力学温度T=0 K时的能 带结构图.其中属于绝缘体的能带结构是( ) (A) (1). (B) (2). (C) (1), (3). (D) (3). (E) (4). 29.硫化镉(CdS)晶体的禁带宽度为2.42eV,要使这种晶体产生本征光电导,则入射到晶体上的光的波 长不能大于(普郎克常量 ,基本电荷 ) ( ) (A)650nm (1nm=10 –9 m) (B)628nm (C)550nm (D)514nm 30.下述说法中，正确的是( ) (A)本征半导体是电子与空穴两种载流子同时参与导电，而杂质半导体（ n型或p型）只有一种载流 子（电子或空穴）参与导电，所以本征半导体导电性能比杂质半导体好。 （B）n型半导体的导电性能优于p型半导体，因为n型半导体是负电子导电， p型半导体是正离子导 电。 （C）n 型半导体中杂质中杂质原子所形成的局部能级靠近空带（导带）的底部，使局部能级中多余 的电子容易被激发跃迁到空带中去，大大提高了半导体导电性能。 （D）p型半导体的导电机构完全决定于满带中空穴的运动。 31.世界上第一台激光器是（ ） （A）氦椖始す馄鳌? （B）二氧化碳激光器。 （C）钕玻璃激光器。 （D）红宝石激光器。 （E）砷化镓结型激光器。 32．按照原子的量子理论，原子可以通过自发辐射和受激辐射的方式发光，它们所产生的光的特点 是：( ) （A）两个原子自发辐射的同频率的光是相干的，原子受激辐射的光与入射光是不相干的。 （B）两个原子自发辐射的同频率的光是不相干的，原子受激辐射的光与入射光是相干的。 （C）两个原子自发辐射的同频率的光是不相干的，原子受激辐射的光与入射光是不相干的。 （D）两个原子自发辐射的同频率的光是相干的，原子受激辐射的光与入射光是相干的