中国科学技术大学物理系微电子专业 金属-氧化物SiO2)-半导体(Si )(MOS)结构是 主流半导体器件CMOS的重要组成部分，典型 的结构如AI/SiO2p-Si, 其基本的能带结构参数如下图所示。 xB 中，=光+2g qx ox =0.95eV 0 qu=4.1eV qXs1=4.05 Si ---EF EF Aluminum Eg8eV MOS Structure Silicon Silicon Dioxide Principle of Semiconductor Devices 2023/6/3 6中国科学技术大学物理系微电子专业 • 金属-氧化物(SiO2 )-半导体(Si) （MOS）结构是 主流半导体器件CMOS的重要组成部分， 典型 的结构如Al/SiO2 /p-Si， • 其基本的能带结构参数如下图所示。 2023/6/3 Saturday 6 Principle of Semiconductor Devices