2.绝缘体的能带结构 价带为满带,且与空带间的禁带较宽 带一般:从满带到空带激发微不足 道,可以认为不存在导带。 △E=1.5~10eV 当外来激发使较多电子越过禁带 圈}价带进入空带时,绝缘体击穿,原空 带 导带 3.半导体 空带 价带为满带,与空 △E=0.1~1.5eV 带间的禁带较窄 价带2. 绝缘体的能带结构 价带为满带，且与空带间的禁带较宽。 一般：从满带到空带激发微不足 道，可以认为不存在导带。 当外来激发使较多电子越过禁带 进入空带时，绝缘体击穿，原空 带 导带。 空带 价带 E=1.5~10eV 3. 半导体 价带为满带，与空 带间的禁带较窄。 空带 价带 E=0.1~1.5eV