中国科学技术大学物理系微电子考业 晶体管工艺与杂质分布 (a)合金管 杂质分布特点：三个区内杂质均匀分布， 发射结、集电结为突变结 (b)双扩散管 杂质分布特点：基区为缓变杂质分布，发 射区杂质分布也缓变。 (c)全离子注入管 杂质分布特点：三个区内杂质均匀分布， 发射结、集电结为突变结 Principle of Semiconductor Devices 2023/5/2 9中国科学技术大学物理系微电子专业 2023/5/2 Tuesday 9 • 晶体管工艺与杂质分布 (a)合金管 杂质分布特点：三个区内杂质均匀分布， 发射结、集电结为突变结 . (b)双扩散管 杂质分布特点：基区为缓变杂质分布，发 射区杂质分布也缓变。 (c) 全离子注入管 杂质分布特点：三个区内杂质均匀分布， 发射结、集电结为突变结 Principle of Semiconductor Devices