授课教案 第六章发光器件 最窄脉冲半宽度（半值功率点间的时间间隔）为 2L11 A=c2q+1-Avr (6.8) 2.振幅调制锁模 增益曲线中心附近的纵模光场为 E)=E。cos(2m,) (6.9) 经频率为v=c2L)的振幅调制器调制后光场变为 E(t)=Eo[l+mcos(2mt)]cos(2m) -,cos2m+"坠-ozr(.-p小"2copa+p训 (6.10) 纵模振荡中新产生的两个须率边带为 (6.11a) e=+p=.+2元 (6.11b) V-c/2L V.+c/2L 阈值 2 图6.29相邻的纵模振荡 §6-3半导体激光器(LD) 泵浦方式：电流注入 特点：体积小、寿命长、输出功率大、效率高 应用：光纤通信、光存储、光陀螺、激光打印和测距、激光雷达 一、半导体受激辐射原理 1.半导体能带知识 晶体的能带 授课教案 第六章 发光器件 最窄脉冲半宽度（半值功率点间的时间间隔）为 F vqc L t Δ = + =Δ 1 12 12 min （6.8） 2. 振幅调制锁模 增益曲线中心附近的纵模光场为 2cos()( ) 0 = π c tvEtE （6.9） 经频率为 = Lcv )2( 的振幅调制器调制后光场变为 [ ] [ ] [ ]tvv mE tvv mE tvE tvvtmEtE c c c c )(2cos 2 )(2cos 2 )2cos( )2cos()2cos(1)( 0 0 0 0 = + +− + = + π π π π π （6.10） 纵模振荡中新产生的两个频率边带为 L c vvvv cc c 2 − −=−= （6.11a） L c vvvv cc c 2 + +=+= （6.11b） 图 6.29 相邻的纵模振荡 §6-3 半导体激光器（LD） 泵浦方式：电流注入 特点：体积小、寿命长、输出功率大、效率高 应用：光纤通信、光存储、光陀螺、激光打印和测距、激光雷达 一、半导体受激辐射原理 1. 半导体能带知识 晶体的能带 16