共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其 中vcE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线 当vcp≥1V时,vcB=vcE-vBE>0,集电结已进入反 偏状态,开始收集电子,且基区复合减少,lc/lB 增大,特性曲线将向右稍微移动一些。但vcε再增 加时,曲线右移很不明 曲线的右移是三极 lB/μA 管内部反馈所致,右移 Vcr=O 不明显说明内部反馈很 10v 80 小。输入特性曲线的分 区:①死区②非线性区40 ③线性区 20 00.2040.60.81 E/V 图02.05共射接法输入特性曲线共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其 中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反 偏状态，开始收集电子，且基区复合减少， IC / IB 增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增 加时，曲线右移很不明 显。曲线的右移是三极 管内部反馈所致，右移 不明显说明内部反馈很 小。输入特性曲线的分 区：①死区 ②非线性区 ③线性区 图02.05 共射接法输入特性曲线