5.1.1N沟道增强型OSFET 2.工作原理 D=0 铝 (1)⑦cs对沟道的控制作用 二氧化硅、 当vs≤0时 无导电沟道，d、s间加电压时，也 无电流产生。 耗尽层 当0<s<?时 B衬底引线 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道)，d、s间加电压后，没有电流产生。 =0 当ves>时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 N ℃s越大，导电沟道越厚 耗尽层N型（感生）沟道 P ?称为开启电压 B衬底引线 HOME BACK NEXT5.1.1 N沟道增强型MOSFET 2. 工作原理 （1）vGS对沟道的控制作用 当vGS≤0时 无导电沟道， d、s间加电压时，也 无电流产生。 当0<vGS <VT 时 产生电场，但未形成导电沟道（感生沟 道），d、s间加电压后，没有电流产生。 当vGS >VT 时 在电场作用下产生导电沟道，d、s间加 电压后，将有电流产生。 vGS越大，导电沟道越厚 VT 称为开启电压