D0I:10.13374/j.issn1001-053x.1987.03.035 4 北京钢铁学院学报 J.Beijing Univ,of Iron Steel Technol. Vol.9No.31987 4。 单晶硅氧化动力学及氧化膜结构分析· 樊自拴：凌燕平·李文超 （冶金物化教研室) 摘 要 用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期，'考虑到热应力对扩 散系数的影响，从而得出了硅氧化的一个新模型，即化学反应控速一四次方混合 控速一一扩散控速模型，用该模型处理了文献〔4)中的数据与本实验结果均得到满 意的相关系数。另外，用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察，分析了单晶硅 的氧化膜生长机理。 关键词：硅，氧化动力学；结构分析 Oxidation Kinetics of Silicon-monocrystal and Microstructure of Oxide Film "Fan Zishuan··Ling Yanping`.Li Wenchao Abstract Oxidation kinetics of siliconmonocrystal have been studied.The three steps rule of gas-solid reaction have been raised.The reaction.rate of oxidation is divided into three stages:in the initial period the reaction rate is controlled by interface chemical reaction;in the second stage by both interface chemical reaction and slow diffusion due to stress,in the third stage by diffusion. And the microstructure of.oxide film have.been observed by.SEM and TEM. ●本课题由中国科学院基金资助 1986一09一17收到， 107一 ’ 月匕京 钢 铁 学 院 学 报 。 。 毛 ’ 一 · 户 、 一 、 单晶硅氧化动力学及纂化膜结构分析 ‘ ， 一 卜 ‘ 二 叱 二 ，， 一 几 。 二 樊 自拴 ‘ 凌燕平 · 李文超 冶金物化教研室 摘 要 用气固相反应原理分析了单晶硅热氧花机理 在氧化中期 ， 考虑到热应力对扩 散系数的影响 ， 从而得出了硅氧化的一个新模型 ， 如化学反应控速一 四 次方混合 控速一一扩散控速模型 。 用该模型处理了文献〔妇 中的数据与本实验结果均得 到 袖 意的相关系数 另外 ， 用扫描龟镜和透射电镜对氧化膜谁行了观察 ， 分析了单晶硅 的氧化膜生长机理 关被词 硅 ， 氧化动力学 结构分析 ‘ ’‘ 今 ，‘仁 “ ‘ 一 ， ‘ ’ 叻馆 乙 妇夕 犷。 ” ” 夕 附 ” 犷 哭 尽。 礴 一 亡 犷 七 一 ‘ 亡 ， 一 。 本课题由 中国科学院基金资助 一 一 收到 DOI ：10．13374／j ．issn1001－053x．1987．03．035