(3) Graphite- Diamond△H>0△s<0 根据平衡,需要高压6e9-1010Pa,( because of the insignificant reduction of volume),升高温度 不利于平衡的移动,但为了达到该过程可以接受的速率 ,反应温度大约在2000℃,近来已发明一种低压生产 金刚石的方法把金刚石晶种(seed放在气态碳氢化合 物(甲烷 methane, ethane)中,温度升高到1000℃,可 以得到金刚石粉末或者 crystal whiskers CVD technique for diamond growth(3) Cgraphite Cdiamond ∆H > 0 ∆S < 0 根据平衡,需要高压6e9—1e10Pa，(because of the insignificant reduction of volume)，升高温度 不利于平衡的移动,但为了达到该过程可以接受的速率 ,反应温度大约在2000℃，近来已发明一种低压生产 金刚石的方法:把金刚石晶种(seed)放在气态碳氢化合 物( 甲烷methane, ethane )中,温度升高到1000℃,可 以得到金刚石粉末或者crystal whiskers CVD technique for diamond growth