半导体技术中所采用的光刻技术 Si片 暴光 氧化:形成Si0,层 溶解:去除部分光刻胶 加热:光刻胶固化 涂敷:涂光刻胶 加热:光刻胶预固化 SO2层的刻 掩膜对准 溶解或灰化:去除光刻胶 不仅SO2,其他的材料,如Si,A,也可由光刻方法进行刻蚀半导体技术中所采用的光刻技术 Si片 氧化：形成SiO2层 涂敷：涂光刻胶 加热：光刻胶预固化 掩膜对准 暴光 溶解：去除部分光刻胶 加热：光刻胶固化 SiO2层的刻蚀 溶解或灰化：去除光刻胶 不仅SiO2 , 其他的材料,如Si, Al, 也可由光刻方法进行刻蚀